[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；形成覆盖第一区域衬底表面、以及第一鳍部顶部和侧壁表面的第一掺杂层；形成覆盖第二区域衬底表面、以及第二鳍部顶部和侧壁表面的第二掺杂层，第二掺杂层与第一掺杂层之间具有交界面；采用无掩膜刻蚀工艺，刻蚀第一掺杂层形成覆盖第一鳍部侧壁表面的第一掺杂侧墙，刻蚀第二掺杂层形成覆盖第二鳍部侧壁表面的第二掺杂侧墙；在衬底表面形成介质层，且介质层顶部低于第一鳍部顶部和第二鳍部顶部；去除高于介质层顶部的第一掺杂侧墙和第二掺杂侧墙；对剩余第一掺杂侧墙和剩余第二掺杂侧墙进行退火处理。本发明改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。

主权项

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，所述第一区域衬底表面形成有若干分立的第一鳍部，所述第二区域衬底表面形成有若干分立的第二鳍部，所述第一区域和第二区域的区域类型不同，所述第一区域衬底内形成有第一阱区，所述第二区域衬底内形成有第二阱区；形成覆盖所述第一区域衬底表面、以及第一鳍部顶部和侧壁表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层内含有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子类型与第一阱区的掺杂离子类型相同；形成覆盖所述第二区域衬底表面、以及第二鳍部顶部和侧壁表面的第二掺杂层，所述第一掺杂层和第二掺杂层具有交界面，所述第二掺杂层内含有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子类型与第二阱区的掺杂离子类型相同；采用无掩膜刻蚀工艺，刻蚀去除位于第一区域部分衬底表面和第一鳍部顶部的第一掺杂层，形成覆盖第一鳍部侧壁表面的第一掺杂侧墙，刻蚀去除位于第二区域部分衬底表面和第二鳍部顶部的第二掺杂层，形成覆盖第二鳍部侧壁表面的第二掺杂侧墙；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖第一掺杂侧墙部分侧壁表面和第二掺杂侧墙部分侧壁表面，且所述介质层顶部低于第一鳍部顶部和第二鳍部顶部；去除高于所述介质层顶部的第一掺杂侧墙和第二掺杂侧墙；对剩余第一掺杂侧墙和剩余第二掺杂侧墙进行退火处理，使第一掺杂侧墙内的第一掺杂离子扩散至第一鳍部内形成第三阱区，使第二掺杂侧墙内的第二掺杂离子扩散至第二鳍部内形成第四阱区；所述第三阱区的掺杂离子浓度大于第一阱区的掺杂离子浓度；所述第四阱区的掺杂离子浓度大于第二阱区的掺杂离子浓度。