[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201510535935.4 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105390492B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 成田幸辉 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L27/06;H01L21/822
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体器件。半导体器件包括:多个栅极电极;和多个条状触点,其沿着栅极电极的长度方向与各栅极电极交替地形成。形成有在形成源极、漏极的一方的一个条状触点被施加基准电位的导电型晶体管。与导电型晶体管的源极、漏极的另一方的条状触点相邻的栅极电极作为第一虚设栅极电极使用。半导体器件还具有:金属,其以跨过第一虚设栅极电极的方式将形成在第一虚设栅极电极的两侧的条状触点彼此电连接;和焊盘,其与形成在第一虚设栅极电极的两侧的条状触点中的、相对于第一虚设栅极电极设置在导电型晶体管相反侧的条状触点连接。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具有:多个栅极电极,其形成在半导体衬底上;和多个条状触点,其为了形成源极、漏极而沿着所述栅极电极的长度方向与各所述栅极电极交替地形成,形成有在形成源极、漏极中的一方的一个条状触点被施加基准电位的导电型晶体管,与形成所述导电型晶体管的源极、漏极中的另一方的一个条状触点相邻的一个栅极电极作为第一虚设栅极电极来使用,所述半导体器件还具有:第一金属,其以跨过所述第一虚设栅极电极的方式将形成在所述第一虚设栅极电极的两侧的条状触点彼此电连接;和焊盘,其与形成在所述第一虚设栅极电极的两侧的条状触点中的、相对于所述第一虚设栅极电极设置在所述导电型晶体管相反侧的条状触点连接。
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