[发明专利]一种氧化锌单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510533156.0 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105225928B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 王惠琼;李亚平;郑金成;李晓军 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森,戴深峻 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化锌单晶薄膜的制备方法，涉及半导体微电子与光电子材料。1)衬底预处理；2)衬底表面处理；3)缓冲层的生长；在377℃温度条件下，同时通入无等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第一层缓冲层的生长；在255℃温度条件下，同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第二层缓冲层的生长；4)氧化锌薄膜的生长；同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行氧化锌薄膜的生长，即完成氧化锌单晶薄膜的制备。在立方相衬底上，通过调节氧化锌生长过程中初始生长时氧气的活性，极大改善了由于晶格不匹配导致结晶质量差的问题，同时抑制了缺陷发光强的缺点，也克服高温生长对设备和生长条件的苛刻要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌单晶薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)衬底预处理；所述衬底预处理是将表面为(111)面取向的立方相氧化镁单晶衬底清洗之后，固定在样品托上，放入分子束外延系统中的进样室的传送杆上，然后将进样室抽真空；2)衬底表面处理；3)缓冲层的生长；在377℃温度条件下，同时通入无等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第一层缓冲层的生长；在255℃温度条件下，同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第二层缓冲层的生长；4)氧化锌薄膜的生长；同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行氧化锌薄膜的生长，即完成氧化锌单晶薄膜的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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