[发明专利]一种HKMG器件的制备方法有效
| 申请号： | 201510532382.7 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105185713B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HKMG器件的制备方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、无定型碳和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；步骤4：刻蚀去除栅极区域的多晶硅；步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和无定型碳；步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。本发明形成的氧‑无定型碳‑氧组合膜可以直接在已有设备中进行，没有额外的设备投入，并且无需担心污染或热稳定性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hkmg 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HKMG器件的制备方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、无定型碳和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；步骤4：采用干法刻蚀工艺刻蚀去除栅极区域的多晶硅，且将刻蚀停在最上层二氧化硅膜上；步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和无定型碳；步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
