[发明专利]一种具有滤波功能钝化层的碳化硅肖特基紫外探测器有效
申请号: | 201510528297.3 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105047749B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 许毅松;陆海;周东 | 申请(专利权)人: | 镇江镓芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/028 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司32112 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 212400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有滤波功能钝化层的碳化硅肖特基紫外探测器,器件表面淀积了一层复合的全介质结构薄膜做钝化层,不仅具有保护器件的作用,还能够在全介质结构中产生布拉格共振,滤掉一定波长范围内的紫外光,使碳化硅探测器对紫外波段的响应具有选择性,从而实现日盲特性。所述的全介质结构一般为具有高低折射率的不同介质材料交替叠加形成,其厚度介于1‑20微米之间。使用本发明所述设计的具有滤波功能钝化层的SiC肖特基紫外探测器,比传统结构器件相比有着更短的截止波长,实现了对紫外波段响应的选择性,也实现了探测器的日盲特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 滤波 功能 钝化 碳化硅 肖特基 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
一种具有滤波功能钝化层的碳化硅肖特基紫外探测器,其特征在于:其钝化层为复合的全介质结构薄膜,复合的全介质结构薄膜由不同折射率的材料交替叠加形成,用于对紫外波段的响应具有选择性,实现碳化硅肖特基紫外探测器的日盲特性用途;复合的全介质结构薄膜的厚度为3~8微米;复合的全介质结构薄膜由高折射率材料和低折射率材料交替叠加形成,并至少包含一组高低折射率交替叠加的周期结构,交替叠加的周期数为40~100;高折射率材料包括:HfO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3、Si3N4、NdF3或LaF3,低折射率材料为SiO2;复合的全介质结构薄膜由电子束蒸发、溅射工艺、或化学气相沉积方法淀积而成,淀积速率为0.1nm/s~30nm/s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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