[发明专利]带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201510526087.0 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105140107B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 叶斐;陈猛;陈国兴;张峰 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面形成覆盖层，所述覆盖层为非晶绝缘材料；抛光所述覆盖层的表面；以被抛光的表面作为键合面，与一器件衬底键合。本发明的优点在于，采用了非晶绝缘的覆盖层作为键合表面，避免了直接对多晶层实施抛光和键合，降低了抛光和键合的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 电荷 陷阱 绝缘 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱，所述多晶层的厚度为0.8μm～2.5μm；抛光所述多晶层，以降低后续覆盖层的厚度；在所述多晶层表面生长覆盖层，所述覆盖层为非晶绝缘材料，以避免影响所述多晶层的电荷陷阱的特性；抛光所述覆盖层的表面；以被抛光的表面作为键合面，与一器件衬底键合，以避免直接对所述多晶层进行键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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