[发明专利]一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器

摘要

本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器。本发明的电路，主要为通过采用RC补偿方法，提高环路的稳定性；同时，引入高通滤波电路，提高稳压器的电源抑制比，其主要是利用负反馈原理，再通过在电源和功率管的栅极之间引入一条前馈通路(高通滤波电路)，将该电路的输出电压作用在功率管栅极，从而保持功率管栅源电压基本不变，使功率管MP的栅源小信号压差仅略大于零，以此提高整个电路的电源抑制能力。本发明的有益效果为，能有效提高LDR中频段的电源抑制能力，同时采用片内补偿的方法，使得芯片更易于集成。本发明特别适合低压的稳压电路。

主权项

一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器，包括高通滤波电路、RC补偿电路和输出级电路；所述高通滤波电路由第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第二电阻R2、第三电阻R3、第二电容C2和电流源I₁构成；所述第七PMOS管P7的源极接电源，其栅极和漏极互连，其栅极通过第二电阻R2后接第六PMOS管P6的栅极，其漏极接通过电流源I₁后接地；电流源I₁与第三电阻R3并联；第二电阻R2与第六PMOS管P6栅极的连接点通过第二电容C2后接地；第六PMOS管P6的源极接电源，其漏极接第五PMOS管P5的源极；第五PMOS管P5的漏接地；所述RC补偿电路由误差放大器A₁、第一电阻R1和第一电容C1构成；误差放大器A₁的输出端接第五PMOS管P5的栅极，其正向输入端依次通过第一电阻R1和第一电容C1后接第五PMOS管P5的栅极，其负向输入端接基准电压；所述输出级电路由功率PMOS管MP、第三电阻C3和第四电阻R4构成；功率POMS管MP的栅极接第六PMOS管P6漏极与第五PMOS管P5源极的连接点，其源极接电源，其漏极接误差放大器A₁的正向输入端；功率PMOS管MP漏极与误差放大器A₁正向输入端的连接点通过第三电容C3后接地；第三电容C3和第四电阻R4并联。