[发明专利]带过压吸收的组合水冷功率装置在审

专利信息
申请号: 201510515002.9 申请日: 2015-08-21
公开(公告)号: CN105186889A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 牛勇;王彬;张丹;王雷;刘立刚 申请(专利权)人: 永济新时速电机电器有限责任公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H05K7/20
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 044500 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及集成有多个IGBT器件的功率单元,具体为带过压吸收的组合水冷功率装置,包括框架、水冷基板、复合母排、驱动板,半桥封装的IGBT、吸收电容和交流端子。本发明设计了一种带过压吸收的组合水冷功率装置,此功率装置将四象限整流电路和三相逆变电路组合在一个独立的单元,可以将输入单相交流电通过交-直-交的变换方式,输出为三相交流电,功率装置采用大功率的IGBT器件作为主电路开关元件,利用复合母排与外部直流支撑电容连接,在主电路上设置了用于IGBT关断过电压吸收的吸收电容,采用循环水对开关元件进行散热,实现了变流主电路的高度集成,并提高了功率变换电路的可靠性。
搜索关键词: 吸收 组合 水冷 功率 装置
【主权项】:
带过压吸收的组合水冷功率装置,其特征在于包括框架(1)、水冷基板(2)、复合母排(3)和驱动板(4),框架(1)底部焊接具有内螺纹的立柱,水冷基板(2)紧固在框架底部的立柱上,该立柱上还支撑有交流端子(5),紧贴水冷基板的表面安装有七个半桥封装的IGBT(8),其中四个IGBT构成四象限整流电路,另外三个IGBT构成逆变电路,每个半桥封装的IGBT的直流端子间设置一个吸收电容(6),IGBT的上层安装有复合母排(3),复合母排(3)的上层安装有驱动板(4),驱动板(4)通过线束和IGBT的驱动端连接,复合母排(3)的直流端子(7)作为整流电路和逆变电路的直流端子。
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