[发明专利]一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法有效
| 申请号： | 201510504801.6 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105529242B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;薛兆国;许明坤;李成栋 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样品5‑30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 珠串形 单晶硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，其特征在于步骤如下，1）在平整的衬底上，配合光刻或其他图案生成技术，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置，金属膜厚度在几个纳米到几十个纳米；2）将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃、氢气等离子体处理样品5‑30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3）在PECVD系统中，覆盖一层几纳米至几百纳米厚度的非晶硅层作为前驱体介质层；4）在真空中或者包括氢气、氮气的非氧化性气氛中退火、温度在350‑400℃，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
