[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510484923.3 | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN105374848B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 大原宏树 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;王大方 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示装置及其制造方法,能够抑制由与密封膜有关的工序导致的对像素电路的不良影响。一种显示装置,在基板上依序形成有像素电路和具有多层结构的密封膜,其中,所述密封膜包含第一层,所述第一层以与所述像素电路接触的方式形成、且由含硅无机材料构成,所述第一层为其至少一部分成分沿着层合方向连续变化的混合成膜。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,在基板上依序形成有包含有机发光元件的像素电路、和在所述有机发光元件上的密封膜,其特征在于,所述有机发光元件形成在所述像素电路的上部,所述密封膜形成在所述有机发光元件上,所述密封膜包含第一层和在所述第一层的上表面的至少一部分上形成的第二层,所述第一层以与所述有机发光元件接触的方式形成,构成所述第一层的下表面的组成为氮化硅或氧氮化硅中的任一种,其中,所述第一层的下表面位于靠近所述有机发光元件的那侧,构成所述第一层的上表面的组成为氧化硅及非晶硅中的任一种,其中,所述第一层的上表面位于远离所述有机发光元件的那侧,所述第二层为树脂材料,所述第一层的组成以氮成分从所述下表面朝向上表面沿着层合方向连续减少的方式变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510484923.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的