[发明专利]具有纹理化前表面和/或背表面的薄膜半导体光电器件在审
申请号: | 201510475349.5 | 申请日: | 2015-08-05 |
公开(公告)号: | CN105336797A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 丁逸康;布兰登·M·卡耶斯;罗斯·特威斯特;西尔维亚·斯普尤特;刘峰;雷格·东克;美利莎·J·艾契尔;何甘 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有纹理化前表面和/或背表面的薄膜半导体光电器件。公开一种用于提供在光电器件中的纹理化层的方法。方法包括将模板层沉积在第一层上。模板层在厚度上或在组成上或在两者上具有明显的不均匀性,包括形成一个或多个岛状物以提供岛状物层的至少一个纹理化表面的可能性。方法还包括将模板层和第一层暴露于蚀刻工艺以产生或改变至少一个纹理化表面。改变的至少一个纹理化表面在操作中引起光散射。 | ||
搜索关键词: | 具有 纹理 表面 薄膜 半导体 光电 器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于提供光电器件中的纹理化层的方法,所述方法包括:在平面半导体层上外延生长岛状物的模板层,其中所述模板层在厚度上具有明显的不均匀性;以及将所述模板层和所述平面半导体层暴露于蚀刻工艺以使用所述模板层作为蚀刻掩模在所述平面半导体层中产生至少一个纹理化表面,其中所述至少一个纹理化表面是所述光电器件的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥塔装置公司,未经奥塔装置公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510475349.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的