[发明专利]生长在Si衬底上的GaAs薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201510468527.1 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105140104B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李国强;温雷;高芳亮;张曙光;李景灵;龚振远 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xP缓冲层，0.57<x<0.63；(5)GaAs薄膜的生长在500～580℃的生长温度下，在InxGa1‑xP缓冲层上生长GaAs薄膜。本发明的还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜。本发明具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便等优点，所获得的GaAs外延薄膜表面平整，位错密度低，晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 si 衬底 gaas 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xP缓冲层，0.57<x<0.63；(5)GaAs薄膜的生长：在500～580℃的生长温度下，在InxGa1‑xP缓冲层上生长GaAs薄膜；步骤(4)所述缓冲层的生长，具体为：将Si衬底温度升至350～500℃，在反应室压力3.0×10‑6～2.5×10‑8Pa、Ⅴ/Ⅲ值20～30、生长速度0.1～0.5ML/s的条件下生长2～20nm的InxGa1‑xP缓冲层；步骤(5)所述GaAs薄膜的生长，具体为：将Si衬底温度升至500～580℃，在反应室真空度为4.0×10‑5～2.7×10‑8Pa、Ⅴ/Ⅲ值40～60、生长速度0.6～1ML/s条件下，生长GaAs外延薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
