[发明专利]一种气相沉积设备有效
申请号: | 201510465152.3 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN104962880B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张锐;李端明;廖国华;朴范求 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 孙纪泉 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明描述了一种气相沉积设备。气相沉积设备包括具有反应腔室的反应装置;连接到所述反应腔室的第一通气管道,用于将沉积用的工艺气体导入所述反应腔室;气体电离装置,其连接到所述反应装置并用于对清洗气体进行电离;和连接到所述气体电离装置的第二通气管道,用于将清洗反应腔室的清洗气体导入所述气体电离装置。由于工艺气体在被导入反应腔室的过程中不经过气体电离装置,因此气体电离装置的腔室内部的脱落颗粒物不会随着工艺气体进入反应腔室,只随着清洗气体进入反应腔室,可在清洗过程结束之后与清洗气体一起用真空泵抽走,从而不会对工艺过程(例如镀膜过程)的产品良率产生影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种气相沉积设备,包括:具有反应腔室的反应设备;连接到所述反应腔室的第一通气管道,用于将沉积用的工艺气体导入所述反应腔室;气体电离设备,其连接到所述反应设备并用于对清洗气体进行电离;连接到所述气体电离设备的第二通气管道,用于将清洗反应腔室的清洗气体导入所述气体电离设备;公共通气管道;和三通控制机构,其中:所述公共通气管道的一端与反应腔室相连通,另一端与三通控制机构的第一通气口相连通;所述第一通气管道和所述气体电离设备分别与所述三通控制机构的第二通气口和第三通气口相连通;并且所述三通控制机构配置为控制所述公共通气管道与所述第一通气管道相连通或与所述气体电离设备相连通,或同时阻断所述公共通气管道与所述第一通气管道和所述气体电离设备的连通;其中,所述三通控制机构为具有切换机构的二重真空系统。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的