[发明专利]一种FFS阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明提供种FFS阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在阵列基板上形成栅极与公共电极线；在栅极和公共电极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一层像素电极ITO；在栅极绝缘层上形成一层半导体有源层；在半导体有源层与栅极绝缘层上面形成源极及漏极；在源极、漏极、半导体有源层、像素电极ITO及栅极绝缘层上形成一层绝缘保护层，并在公共电极线上面形成过孔结构；在绝缘保护层与过孔结构上形成公共电极结构。本制造方法克服了现有技术像素电极ITO刻蚀对半导体有源层的损伤。本发明另外提供一种FFS阵列基板，所述基板由上述制造方法制造。本发明还另外提供一种显示装置，所述显示装置包括上述FFS阵列基板。

主权项

一种FFS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在阵列基板上形成金属层，并通过图形化处理得到栅极与公共电极线；(2)在所述栅极和公共电极线上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖整个阵列基板；(3)在所述栅极和公共电极线之间的栅极绝缘层上形成一层像素电极ITO；(4)在所述栅极处上的栅极绝缘层上形成一层半导体有源层，且所述半导体有源层的截面宽度小于所述栅极的截面宽度；(5)在所述半导体有源层与栅极绝缘层上面形成源极及漏极，且所述漏极与所述像素电极ITO的一部分重叠接触且漏极在所述像素电极ITO上面；(6)在所述源极、漏极、半导体有源层、像素电极ITO及栅极绝缘层上形成一层绝缘保护层，并在所述公共电极线上面的栅极绝缘层与绝缘保护层上形成过孔结构，且过孔结构的截面宽度小于所述公共电极线的截面宽度；(7)在所述像素电极ITO对应的绝缘保护层与过孔结构上面形成公共电极结构。