[发明专利]一种晶圆键合工艺有效
| 申请号： | 201510459577.3 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140143B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王言虹;王前文;胡胜;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合工艺，包括如下步骤：提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面键合所述第一晶圆和所述第二晶圆。本发明通过于第二晶圆的氧化层之上沉积氮化硅层作为第二晶圆与第一晶圆的TEOS层键合的键合面，使得晶圆键合界面处的单位面积化学键浓度增加，从而可以显著提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象，进而可以满足新型WLCSP封装工艺的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层，以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面，将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合；所述工艺还包括：分别对所述TEOS层和所述氮化硅层进行平坦化处理之后，将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合；其中，采用化学机械抛光工艺分别对所述TEOS层和所述氮化硅层进行平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
