[发明专利]高维路径纠缠源的制备及判断方法有效

专利信息
申请号: 201510455943.8 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN104965374B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 柳必恒;胡晓敏;黄运锋;李传锋;郭光灿 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35;G02F1/355
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李坤
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高维路径纠缠源的制备及判断方法,包括:设置一预定角度的半波片对输入的单偏振泵浦光进行偏振处理;利用一个或多个光束平移器BD对偏振处理后的单偏振泵浦光进行分束与平移处理,并利用一预定角度的半波片将经过BD处理后的水平偏振光H光处理为竖直偏振光V光;将所有V光射入预先设置的非线性晶体中,每一射入的V光均产生两路参量光,从而完成高维路径纠缠源的制备;利用BD对高维路径纠缠源中的光进行转换,并进行态层析,从而判断高维路径纠缠源的保真度。本发明公开的方法,具有成本低、容易实现的优点;同时,不仅可以有效的扩展到很高的维度,而且可以得到保真度较高的纠缠态。
搜索关键词: 路径 纠缠 制备 判断 方法
【主权项】:
一种高维路径纠缠源的制备及判断方法,其特征在于,包括:设置一预定角度的半波片对输入的单偏振泵浦光进行偏振处理;利用一个或多个光束平移器BD对偏振处理后的单偏振泵浦光进行分束与平移处理,并利用一预定角度的半波片将经过BD处理后的水平偏振光H光处理为竖直偏振光V光;将所有V光射入预先设置的非线性晶体中,每一射入的V光均产生两路参量光,从而完成高维路径纠缠源的制备;利用BD对高维路径纠缠源中的光进行转换,并进行态层析,从而判断高维路径纠缠源的保真度。
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