[发明专利]含钴衬底的化学机械抛光(CMP)有效
| 申请号： | 201510447022.7 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105295737B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;J·A·施吕特;M·L·奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 吴亦华,徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于抛光钴或含钴衬底的化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统。双重或至少两种螯合剂在所述CMP抛光组合物中用作络合剂以实现独特的协同作用，从而在CMP过程期间提供高的、可调的Co去除率和在Co薄膜表面上低的静态蚀刻率以获得有效的Co腐蚀保护。所述钴化学机械抛光组合物还提供Co薄膜相对其他屏障层例如Ta、TaN、Ti和TiN及介电薄膜例如TEOS、SiNx、低k和超低k薄膜的非常高的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 化学 机械抛光 cmp | ||
【主权项】：
一种用于含钴衬底的化学机械抛光组合物，所述组合物包含：0.005wt％‑25wt％的磨料；0.05wt％‑10wt％的至少两种螯合剂，其中所述至少两种螯合剂是甘氨酸和选自DL‑丙氨酸、D‑丙氨酸和L‑丙氨酸的丙氨酸；其余基本上是去离子水；和任选地以下一种或多种：0.0005wt％‑0.25wt％的作为腐蚀抑制剂或缺陷减少剂的化学添加剂；0.005wt％‑0.5wt％的pH调节剂；0.1wt％‑10wt％的氧化剂；0.0001wt％‑0.10wt％的杀生物剂；和0.0005wt％‑0.15wt％的表面活性剂；其中所述化学机械抛光组合物的pH为2.0‑8.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司，未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510447022.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防火玻璃的防火胶及其制备方法以及复合防火玻璃
- 下一篇：硬质涂层形成用组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
