[发明专利]用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置有效
| 申请号： | 201510446622.1 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098548B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金奎东;申雨坤;安孝承;崔致荣 | 申请（专利权）人： | AFO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 程钢;卜劲鸿 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置，包括：反应器主体，用于处理目标基板；直接产生等离子体区域，其为所述反应器主体内的直接产生等离子体区域，工艺气体流入所述反应器主体内，从而直接感应等离子体；等离子体感应组件，向所述直接产生等离子体区域感应等离子体；基板处理区域，其设在所述反应器主体内，通过混合从所述直接产生等离子体区域流入的等离子体和从所述反应器主体的外部流入的汽化气体来形成反应性物质，并通过所述反应性物质来处理所述目标基板；以及双配气挡板，配置在所述直接产生等离子体区域和所述基板处理区域之间，向所述基板处理区域分配等离子体，将汽化气体分配给所述基板处理区域的中心区域和周边区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 以及 清洗 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
一种用于气相蚀刻以及清洗的等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应器主体，用于处理目标基板；直接产生等离子体区域，其为所述反应器主体内的直接产生等离子体区域，工艺气体流入所述反应器主体内，从而直接感应等离子体；等离子体感应组件，向所述直接产生等离子体区域感应等离子体；基板处理区域，其为所述反应器主体内的基板处理区域，通过混合从所述直接产生等离子体区域流入的等离子体和从所述反应器主体的外部流入的汽化气体来形成反应性物质，并通过所述反应性物质来处理所述目标基板；以及双配气挡板，配置在所述直接产生等离子体区域和所述基板处理区域之间，向所述基板处理区域分配等离子体，将汽化气体分配给所述基板处理区域的中心区域和周边区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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