[发明专利]热电元件和包括热电元件的半导体装置有效
| 申请号： | 201510440995.8 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105428515B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金光镐;梁峻赫;高亨宗;金世基;朴浩辰;安世罗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00;H01L35/34;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 元件 包括 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种热电元件，所述热电元件包括：半导体基底；多个第一半导体鳍结构和多个第二半导体鳍结构，设置在半导体基底上，第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构均沿第一方向延伸并且从半导体基底突出；多条第一半导体纳米线，设置在第一半导体鳍结构上，第一半导体纳米线包括第一杂质；多条第二半导体纳米线，设置在第二半导体鳍结构上，第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质；第一电极，连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端；第二电极，连接到第一半导体纳米线的第二端；以及第三电极，连接到第二半导体纳米线的第二端。
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