[发明专利]一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201510434137.2 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105002562A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 马永辉;牟刚;季秋骋;胡康康;高波;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B9/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 张艳;李慧 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钙氟层 铁砷基 高温 超导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，其特征在于，所述单晶的化学式为CaFe0.85Co0.15AsF。
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