[发明专利]有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510432425.4 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN104992961B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 李旭远;陈立强;姜春生;徐长成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域。有机电致发光晶体管阵列基板包括基底,以及沿基底的厚度方向依次形成的栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、像素界定层、有机电致发光层和漏极层,栅极层形成在基底上;其中,源极层包括若干个与子像素单元对应的源极单元,像素界定层包括若干个与源极单元对应的像素界定单元;且各源极单元埋设在对应的像素界定单元内;有机电致发光层形成在各像素界定单元的表面,以及位于相邻源极单元之间的半导体层暴露部分的表面。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 晶体管 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种有机电致发光晶体管阵列基板,其特征在于,包括基底,以及沿所述基底的厚度方向依次形成的栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、像素界定层、有机电致发光层和漏极层,所述栅极层形成在所述基底上;其中,所述源极层包括若干个与子像素单元对应的源极单元,所述像素界定层包括若干个与所述源极单元对应的像素界定单元;各所述源极单元埋设在对应的所述像素界定单元内,且被对应的所述像素界定单元完全覆盖;所述有机电致发光层形成在各所述像素界定单元的表面,以及位于相邻所述源极单元之间的所述半导体层暴露部分的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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