[发明专利]一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法无效
| 申请号: | 201510416906.6 | 申请日: | 2015-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN105000593A | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
| 发明(设计)人: | 吕耀辉;张伟;冉松林;檀杰 | 申请(专利权)人: | 安徽工业大学 |
| 主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 蒋海军 |
| 地址: | 243002 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法,属于冶金化工技术领域。该方法首先从低品位锑矿中提取锑,获得三氯化锑溶液,然后加入无水四氯化锡溶液,采用共沉淀的方法制取高纯度的锑掺杂二氧化锡纳米导电粉。该方法工艺可靠、投资少、效益高、有价金属回收率高,是一种较理想的利用锑矿制取ATO纳米导电粉的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 品位 锑矿 制取 掺杂 氧化 纳米 导电 方法 | ||
【主权项】:
一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)锑矿的浸出:取一定量的硫化锑矿,用氯化锑和盐酸溶液作为浸出剂进行浸出,浸出时间为1‑3小时,浸出温度控制在60‑90℃,经过滤后获得三氯化锑溶液;所述浸出剂与锑的重量比为1.8‑2.5:1,所述浸出剂中氯化锑与盐酸的摩尔比为2‑5:1,所述氯化锑的浓度为3‑8mol/L;(2)ATO导电粉的制备:(a)将步骤(1)制备的三氯化锑溶液与四氯化锡溶液以Sb3+:Sn4+的摩尔比为0.02‑0.20:1混合均匀,制得透明液体;(b)将步骤(a)所得到的透明液体逐滴滴加到浓度为1‑3mol/L碳酸氢铵溶液中并磁力搅拌,滴加速度为2‑4ml/min,体系的反应温度为50‑80℃,控制反应终点的pH在6‑7之间,滴定完毕后,停止搅拌,熟化8‑12h,得到前驱体悬浊液;(c)将步骤(b)所得的前驱体悬浮液抽滤,用去离子水洗涤直至用硝酸银溶液检测滤液中没有氯离子,然后将得到的前驱体冷冻干燥6‑10h,研磨;将粉体置于马弗炉中600‑1200℃煅烧2‑6h,即可得到蓝色掺锑二氧化锡粉体。
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