[发明专利]铜腐蚀抑制系统有效
申请号: | 201510413897.5 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN105261554B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 刘文达;稻冈诚二;李翊嘉;A·德雷克斯基-科瓦克斯 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23G1/10;C23G1/06;C23G1/18;C23G1/20;C23G1/26 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)的金属腐蚀抑制清洗组合物、方法和系统。所述金属腐蚀抑制清洗组合物通过使用两种化学制品—至少一种具有多于一个氨基的多官能胺和至少一种具有多于一个羧酸基团的多官能酸—的组合提供腐蚀抑制作用。所述金属腐蚀抑制清洗组合物有效地清洁源自高密度等离子体蚀刻之后用含氧的等离子体灰化的残余物,及化学机械抛光(CMP)后残留的浆料颗粒和残余物。 | ||
搜索关键词: | 腐蚀 抑制 系统 | ||
【主权项】:
1.金属腐蚀抑制清洗组合物,其包含:1)0.5wt%‑2.0wt%的至少一种多官能酸;2)0.1wt%‑25wt%的至少一种多官能胺;3)余量基本上是液体载体;和任选的4)氟化物源;5)碱;6)金属螯合剂;7)表面活性剂;8)稳定剂;9)腐蚀抑制剂;和10)缓冲剂;其中所述多官能胺是一个分子中具有多于一个氨基的胺或多胺;所述多官能酸是一个分子中具有多于一个羧酸基团的酸或多酸;和所述液体载体选自有机溶剂、水及其组合;其中所述多官能酸是不具有芳族部分的多官能酸;其中所述金属腐蚀抑制清洗组合物的pH为5到10;且所述多官能酸和所述多官能胺中至少一种是非聚合的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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