[发明专利]剥离方法有效
| 申请号： | 201510412447.4 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105261584B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 小柳将 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;金玲<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供剥离方法，能够从光器件层顺利地剥离外延基板。在光器件晶片(10)的外延基板(11)的正面(11a)，隔着由含Ga的Ga化合物构成的缓冲层(13)而形成有光器件层(12)。在光器件晶片的光器件层接合了移设基板(20)后，从外延基板的背面(11b)侧照射对外延基板具有透过性而对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层之间的边界面形成剥离层。此后，使振荡出超声波振动的超声波振动角(42)接触到外延基板的外周部并使外延基板振动，从移设基板剥离外延基板，将光器件层移设至移设基板。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种剥离方法，将光器件晶片的光器件层移转至移设基板，其中，该光器件晶片在外延基板的正面隔着由含有Ga的Ga化合物构成的缓冲层形成有光器件层，该剥离方法包括：/n移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面隔着接合金属层接合移设基板；/n剥离层形成工序，从接合有该移设基板的光器件晶片的外延基板的背面侧，照射对外延基板具有透过性而对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层之间的边界面形成剥离层；以及/n光器件层移设工序，在实施了该剥离层形成工序后，使振荡出超声波振动的超声波振动角接触该外延基板而使该外延基板进行振动，从该移设基板剥离该外延基板，将光器件层移设至移设基板，其中，在所述光器件层移设工序中，使所述超声波振动角接触所述外延基板的外周部，/n其中，所述外延基板的所述外周部包括由于翘曲导致的朝上弯曲的面，并且/n其中，所述超声波振动角包括由朝下突出的曲面构成的接触面，所述接触面被构造和布置成用于与所述外延基板的所述外周部的所述朝上弯曲的面进行线接触或面接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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