[发明专利]剥离方法

说明书

本发明提供剥离方法，能够从光器件层顺利地剥离外延基板。在光器件晶片(10)的外延基板(11)的正面(11a)，隔着由含Ga的Ga化合物构成的缓冲层(13)而形成有光器件层(12)。在光器件晶片的光器件层接合了移设基板(20)后，从外延基板的背面(11b)侧照射对外延基板具有透过性而对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层之间的边界面形成剥离层。此后，使振荡出超声波振动的超声波振动角(42)接触到外延基板的外周部并使外延基板振动，从移设基板剥离外延基板，将光器件层移设至移设基板。

技术领域

本发明涉及将在外延基板的正面隔着缓冲层层叠的光器件层移转至移设基板的剥离方法。

背景技术

在光器件制造工艺中，在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅基板等的外延基板的正面隔着缓冲层形成有由GaN(氮化镓)等构成的n型半导体层和由p型半导体层构成的光器件层，并且在由形成为格子状的多条切割线划分出的多个区域形成发光二极管、激光二极管等的光器件并构成光器件晶片。而且，沿着分割线分割光器件晶片，从而制造出各个光器件(例如，参照专利文献1)。

此外，作为提升光器件的亮度的技术，在下述专利文献2中公开了一种被称作剥离的制造方法，将在构成光器件晶片的蓝宝石基板和碳化硅等的外延基板的正面隔着缓冲层形成的由n型半导体层和p型半导体层构成的光器件层通过AuSn(金锡)等的接合材料接合于钼(Mo)、銅(Cu)、硅(Si)的移设基板，从外延基板的背面侧照射可通过外延基板并被缓冲层吸收的波长的激光光线以破坏缓冲层，并从光器件层上剥离外延基板，从而将光器件层移转至移设基板。

专利文献1日本特开平10-305420号公报

专利文献2日本特开2004-72052号公报

专利文献3日本特开2011-103361号公报

如上所述，对缓冲层照射激光光线的方法存在有时无法充分破坏缓冲层，无法从光器件层上顺利剥离外延基板的问题。这里，专利文献3公开了隔着浸泡硅基板的纯水对硅基板照射超声波，剥离硅基板上的金属膜将其除去的内容，然而完全没有公开上述的移转光器件层的内容。

发明内容

本发明就是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种在无法充分破坏缓冲层的情况下，也能够顺利剥离外延基板的剥离方法。

本发明的剥离方法，将光器件晶片的光器件层移转至移设基板，其中，该光器件晶片在外延基板的正面隔着由含有Ga的Ga化合物构成的缓冲层形成有光器件层，其特征在于，包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面隔着接合金属层接合移设基板；剥离层形成工序，从接合有移设基板的光器件晶片的外延基板的背面侧照射对外延基板具有透过性而对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层之间的边界面形成剥离层；以及光器件层移设工序，在实施了剥离层形成工序后，使振荡出超声波的超声波振动角(ultrasonic vibration horn)接触到外延基板上而使外延基板进行振动，从移设基板剥离外延基板，将光器件层移设至移设基板。

根据上述剥离方法，使超声波振动角接触到外延基板而传播超声波振动，因此能够从超声波振动角对外延基板效率良好地传播振动，能够充分破坏缓冲层对外延基板与光器件层之间的结合。由此，能够避免外延基板的剥离导致产生光器件层的损伤，能够从光器件层迅速且顺利地剥离外延基板。

本发明的剥离方法，优选在光器件层移设工序中，使超声波振动角接触到外延基板的外周部。根据该方法，能够从超声波振动角对外延基板更为效率良好地传播振动。

本发明的超声波振动角用于上述剥离方法，其特征在于，超声波振动角的末端的与外延层接触的接触面由略微弯曲的曲面形成。根据该结构，超声波振动角的末端形成为曲面，因此在外延基板产生了翘曲时，能够提高从超声波振动角对于外延基板的振动传播效率。