[发明专利]低应力氮化硅薄膜的成长方法有效
| 申请号： | 201510402204.2 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105070644B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 石家燕 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低应力氮化硅薄膜的成长方法，包括采用等离子体增强化学气相沉积的步骤，该步骤中包括(1)在反应腔体内提供半导体衬底；(2)调整反应腔体内的沉积温度和调整反应腔体内的反应压力，该反应温度为750～800℃，该反应压力为150～250mT；(3)在反应腔体内通入反应气体DCS和NH3，DCS与NH3的体积比为6～0.8，在所述半导体衬底上沉积氮化硅薄膜。该方法所得氮化硅薄膜应力低于1GPa且大于150MPa，同时符合MEMS产品的结构需求，该方法薄膜的生产温度低，对低压力化学气相沉积法(LPCVD)所用炉管的损害小、耗能低、且应力减小的效果明显，适用于规划化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 氮化 薄膜 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力氮化硅薄膜的成长方法，包括采用等离子体增强化学气相沉积的步骤，其特征在于：该步骤中包括(1)在反应腔体内提供半导体衬底；(2)调整反应腔体内的沉积温度和调整反应腔体内的反应压力，该反应温度为750～800℃，该反应压力为150～250mT；(3)在反应腔体内通入反应气体DCS和NH3，DCS与NH3的体积比为6～0.8，在所述半导体衬底上沉积氮化硅薄膜；选择DCS与NH3的气体体积比时，根据氮化硅薄膜最终的应力要求，在DSC与NH3的体积比例为6‑0.8的区间内选择对应的比例，在此区间内当氮化硅薄膜的应力要求越小，则选取的比例值越接近6；沉积所得氮化硅薄膜的应力小于1GPa且大于150MPa。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
