[发明专利]功率器件的制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 201510386495.0 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328533A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，方法包括：制备具有栅极氧化层的衬底结构，其中，衬底结构包括外延层；在栅极氧化层上形成多晶硅层，对多晶硅层进行图形化处理，以暴露出栅极氧化层；通过暴露出的栅极氧化层在外延层中形成体区；在多晶硅层的表面形成介质层氧化层；对暴露出的栅极氧化层进行刻蚀，以暴露出体区；形成与介质层氧化层的侧壁以及栅极氧化层接触的多晶侧墙；将多晶侧墙中的杂质扩散至体区中，以形成与多晶侧墙接触的源区，以完成功率器件的制备。通过本发明的技术方案，可以减少在制备功率器件的源区时使用光刻版的数量，从而简化功率器件的制备工艺，进而降低功率器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：制备具有栅极氧化层的衬底结构，其中，所述衬底结构包括外延层；在所述栅极氧化层上形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行图形化处理，以暴露出所述栅极氧化层；通过暴露出的所述栅极氧化层在所述外延层中形成体区；在所述多晶硅层的表面形成介质层氧化层；对暴露出的所述栅极氧化层进行刻蚀，以暴露出所述体区；形成与所述介质层氧化层的侧壁以及所述栅极氧化层接触的多晶侧墙；将所述多晶侧墙中的杂质扩散至所述体区中，以形成与所述多晶侧墙接触的源区，并将所述多晶侧墙作为所述功率器件的源极，以完成所述功率器件的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510386495.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管及其形成方法
- 下一篇：半导体器件结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
