[发明专利]无机基团不对称修饰多阴离子形成的手性离子化合物及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201510385647.5 | 申请日： | 2015-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN105000600A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;王海;王宝玲;王晓燕;邹涛隅;乔振芳;段良飞 | 申请（专利权）人： | 昆明学院 |
| 主分类号： | C01G49/00 | 分类号： | C01G49/00;B01J23/881 |
| 代理公司： | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人： | 姜开侠;谢乔良 |
| 地址： | 650214 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了无机基团不对称修饰多阴离子形成的手性离子化合物及其制备方法与应用。所述的离子化合物分子式为[As2Fe6Mo22O85AsO2(OH)2] 15-。所述制备方法采用砷酸二氢盐作为修饰基团打破了多金属氧酸盐化合物的对称性形成了全新的手性离子，开辟了一条全新的设计和合成手性多酸化合物的方法。本发明提供的不对称修饰多金属氧酸盐形成的手性离子化合物应用在催化光反应中，催化效率较高且有较好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 基团 不对称 修饰 阴离子 形成 手性 离子 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种无机基团不对称修饰多阴离子形成的手性离子化合物，其特征在于所述的离子化合物分子式为[As2Fe6Mo22O85AsO2(OH)2] 15‑ ，所述的离子化合物的晶体结构数据如下表：![]()
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