[发明专利]封装结构的形成方法有效
申请号: | 201510373719.4 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105097565B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,吴敏 |
地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种封装结构的形成方法,包括提供载体;在载体表面固定芯片,芯片具有相对的第一表面和第二表面,芯片的第二表面包括功能区,芯片的第一表面与载体表面相互固定;在芯片周围的载体表面固定连接键,连接键包括导电线,连接键包括暴露出导电线的第一端和第二端,连接键的第一端与载体表面相互固定,连接键的第二端高于或齐平于芯片的功能区表面;在载体表面形成塑封层,塑封层包围芯片和连接键,塑封层的表面暴露出连接键的第二端和芯片的功能区表面;在塑封层表面形成与连接键的第二端以及芯片的功能区电连接的再布线层;在再布线层表面形成第一焊球;之后去除载体。所述封装结构的形成方法简单、工艺成本降低,形成的封装结构尺寸精确且缩小。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种封装结构的形成方法,其特征在于,包括:提供载体;在所述载体表面固定芯片,所述芯片具有相对的第一表面和第二表面,所述芯片的第二表面包括功能区,所述芯片的第一表面与载体表面相互固定;在所述芯片周围的载体表面固定连接键,所述连接键包括导电线、以及位于所述导电线侧壁表面的保护层,所述保护层暴露出所述连接键第一端和第二端的导电线,所述连接键包括第一端和第二端,所述连接键的第一端和第二端暴露出所述导电线,所述连接键的第一端与所述载体表面相互固定,所述连接键的第二端高于或齐平于所述芯片的功能区表面;所述连接键的形成步骤包括:提供初始导电线,所述初始导电线具有第三端和第四端;在所述初始导电线的侧壁表面形成初始保护层,形成初始连接键,所述初始保护层暴露出所述初始导电线的第三端和第四端;沿垂直于所述初始导电线侧壁的方向切割所述初始保护层和初始导电线,形成若干段导电线、以及位于导电线侧壁表面的保护层;从所述初始导电线的第三端至第四端的方向上,所述初始连接键具有若干切割段,各切割段均具有靠近第三端的第五端、以及靠近第四端的第六端;所述切割段第五端的初始保护层厚度大于切割段第六端的初始保护层厚度;在切割所述初始连接键之后,若干切割段相互独立,各切割段形成所述连接键,且所述切割段的第五端成为连接键的第一端,所述切割段的第六端成为连接键的第二端;在所述载体表面形成塑封层,所述塑封层包围所述芯片和连接键,所述塑封层的表面暴露出所述连接键的第二端和芯片的功能区表面;在所述塑封层表面形成再布线层,所述再布线层与所述连接键的第二端以及芯片的功能区电连接;在所述再布线层表面形成第一焊球;在形成所述第一焊球之后,去除所述载体,暴露出所述连接键的第一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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