[发明专利]用以改进用于MEMS应用的PbZrTiO3及Pt膜的结晶度的方法

摘要

本申请案涉及用以改进用于mems应用的PbZrTiO₃及Pt膜的结晶度的方法。通过经离子化金属等离子IMP工艺在衬底(102)上溅镀钛粘附层(122)而形成含有压电组件的微电子装置(100)。所述粘附层(122)经氧化使得在所述粘附层的顶部表面处，所述钛中的至少一部分被转化为实质上化学计量二氧化钛(TiO₂)层。在所述粘附层的所述二氧化钛上形成铂层；所述铂层具有(111)晶体定向及小于3度的X射线摇摆曲线FWHM值。在所述铂层上形成压电材料层。所述压电材料可包含锆钛酸铅。

主权项

一种形成含有压电组件的微电子装置的方法，其包括以下步骤：提供衬底；通过经离子化金属等离子IMP工艺在所述衬底上方形成至少10纳米厚的钛粘附层；将所述粘附层暴露于氧化环境以形成至少10纳米厚的二氧化钛层，所述二氧化钛为实质上化学计量的；在所述二氧化钛层上形成铂层，所述铂具有晶体定向(111)且具有小于3度的X射线摇摆曲线半峰全宽FWHM值；及在所述铂层上形成压电材料层。