[发明专利]溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池

摘要

本发明提供了一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池，通过在硫化锌材料中掺入一定量的B、Al、Ga、In元素来制作硫化锌溅射靶材，并用该硫化锌溅射靶来制作无镉的薄膜太阳能电池，本发明的硫化锌溅射靶材可使用DC溅射沉积或AC溅射沉积，可避免使用复杂的RF溅射设备沉积硫化锌膜层，可降低薄膜电池的制造成本。

主权项

一种CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括，提供一衬底，覆盖衬底表面的背电极层，覆盖背电极层的p型光吸收层，覆盖p型光吸收层的n型半导体层，覆盖n型半导体层的掺杂硫化锌膜层，覆盖掺杂硫化锌膜层的透明导电层；所述掺杂硫化锌膜层是使用具有导电性的硫化锌靶材通过DC或AC溅射沉积的，所述掺杂硫化锌膜层的掺杂剂选自B、Al、Ga或In元素中的至少一种，所述掺杂剂的含量为100ppm至4000ppm。