[发明专利]一种新型高速半导体激光器的制作方法有效
| 申请号： | 201510367669.9 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104966991B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 罗飚;刘应军;王任凡;汤宝 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种新型高速半导体激光器的制作方法，所述方法包括：制作外延片的脊波导结构；脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2‑3um；在所述SiO2薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为1.5‑2.5um；基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO2层，获取电极柱接口；通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极。本发明实施例通过这种新型结构设计与传统激光器制作方法比较起来，本发明方法制作可以解决了后面打线封装的问题，利于大规模生产的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 电极柱 高速半导体激光器 脊波导结构 外延片 光刻 等离子体增强化学气相沉积 光电子技术领域 新型结构设计 传统激光器 接口制作 光刻法 打线 减薄 刻蚀 封装 生长 | ||
【主权项】：
1.一种新型高速半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：制作外延片的脊波导结构；脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2‑3um；在所述SiO2薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为1.5‑2.5um；基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO2层，获取电极柱接口；通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极；进行解理，镀膜，完成高速半导体激光器芯片制作；在激光束频率从10MHz到20GHz范围内，分别对采用上述高速半导体激光器芯片制作的高速半导体激光器的频率特性进行测试。
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