[发明专利]一种新型高速半导体激光器的制作方法

权利要求书

1.一种新型高速半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

制作外延片的脊波导结构；

脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO₂绝缘层，所述SiO₂薄膜的厚度为2-3um；

在所述SiO₂薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为1.5-2.5um；

基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO₂层，获取电极柱接口；

通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极；

进行解理，镀膜，完成高速半导体激光器芯片制作；

在激光束频率从10MHz到20GHz范围内，分别对采用上述高速半导体激光器芯片制作的高速半导体激光器的频率特性进行测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作外延片由磷化铟InP材料制作。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作外延片的脊波导结构，具体包括：脊宽设置为1.8-2.2um。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述SiO₂薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，具体包括：

在SiO₂层上涂敷光刻胶，并进行90℃固化；

利用光刻机完成电极柱窗口的光刻；

在120℃环境下完成曝光、显影和钝化，形成光刻窗口。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO₂层，获取电极柱接口，具体包括：

利用曝光显影形成光刻胶做掩蔽，用CF4和O2气体刻蚀光刻窗口下的SiO₂层，形成电极柱接口。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述电极柱接口制作P面电极，具体包括：

完成P面电极制作，电极材料为和厚度对应关系分别为：Ti-50nm，Pt-80nm，Au-200nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过减薄所述外延片制作N面电极，具体包括：

将外延片背面减薄为100μm，制作N面电极，电极材料及厚度对应关系分别为:Ti-50nm，Pt-80nm，Au-100nm。