[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于栅极和漏极之间的半导体层上存在凹槽；位于所述半导体层上的源场板，依次包括与源级电连接的起始部分、与所述半导体层间存在空气的第一中间部分、覆盖在栅极和漏极之间的半导体层上的第二中间部分和与所述半导体层间存在空气的尾部。本发明能够消除凹槽和源场板之间的套刻偏差，节省了生产成本，同时减小了寄生栅源电容及寄生电阻。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述半导体层上的源场板，依次包括与源极电连接的起始部分、与所述半导体层间存在空气的第一中间部分、覆盖在栅极和漏极之间的半导体层上的第二中间部分和与所述半导体层间存在空气的尾部；所述半导体层上有凹槽，所述第二中间部分位于凹槽内；或者所述半导体器件还包括位于所述半导体层之上的介质层，所述介质层上有凹槽，所述第二中间部分位于凹槽内；或者所述半导体器件还包括位于所述半导体层之上的介质层，且设置有贯穿所述介质层，并延伸到所述半导体层内的凹槽，所述第二中间部分位于凹槽内；所述起始部分、所述第一中间部分、所述第二中间部分和所述尾部一体成型；所述第二中间部分覆盖所述凹槽底部且所述第二中间部分完全位于所述凹槽内。