[发明专利]一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

一种用于形成CIGS基薄膜太阳能电池的方法，包括基板，在基板上沉积金属背电极层，接着对金属背电极层进行P1刻划，接着沉积一层MoSx(0<x≤2)或Mo(S1‑xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜层，接着在其上形成光吸收层，在光吸收层上沉积缓冲层，在缓冲层上沉积透明导电窗口层。通过在形成光吸收层之前先沉积一层MoSx(0<x≤2)或Mo(S1‑xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜层，可有效降低电池内部的分流作用，提高电池的并联电阻和填充因子。

主权项

一种用于形成CIGS基薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法依次包括：提供一基板；形成覆盖所述基板的背电极层；接着进行P1刻划；接着采用真空沉积法形成覆盖所述背电极层的MoSx其中0<x≤2的薄膜层，或Mo(S1‐xSex)y其中0<x<1,0<y≤2的薄膜层，所述的MoSx或Mo(S1‐xSex)y薄膜层的厚度不超过150nm；形成覆盖所述MoSx或Mo(S1‐xSex)y薄膜层的光吸收层；形成覆盖所述光吸收层的缓冲层；形成覆盖所述缓冲层的具有高电阻率的氧化锌膜层，所述具有高电阻率的氧化锌膜层为本征氧化锌膜层、具有高电阻率的掺杂氧化锌膜层或它们的组合，所述具有高电阻率的掺杂氧化锌膜层电阻率不小于0.08Ωcm，同时不大于95Ωcm；接着进行P2刻划；形成覆盖所述具有高电阻率的氧化锌膜层的透明导电窗口层；最后进行P3刻划，以便形成由多个单元电池串联而成的电池组件。