[发明专利]硅片及制造方法在审
| 申请号： | 201510335859.2 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280491A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/322 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高品质硅片及制造方法。所述方法采用切克拉斯基法（Cz法）拉制氧浓度5×1017atoms/cm3~1×1018atoms/cm3、氮浓度5×1014atoms/cm3~2×1016atoms/cm3的晶棒，用此晶棒加工成硅片后，使硅片在700℃~1000℃的升温区间里处于氮气气氛中、在1000℃~1100℃的升温区间里处于氮气和氩气混合气氛中，在1100℃~1150℃的升温区间里处于氩气气氛中，在氩气气氛中1150℃恒温热处理后降温至700℃以下制备硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片制造方法，其特征在于，用Czochralski法拉制氧浓度在5x1017atoms/cm3~1x1018atoms/cm3以内、氮浓度在5x1014atoms/cm3~2x1016atoms/cm3以内的单结晶晶棒；用此晶棒加工成硅片后，在700℃~1000℃升温区间处于氮气气氛中、在1000℃~1100℃升温区间里处于氮气和氩气混合气氛中、在1100℃~1150℃升温区间里处于氩气气氛中进行热处理，并在氩气气氛中在1150℃恒温热处理后降温至700℃以下得到硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
