[发明专利]包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法有效
| 申请号： | 201510329345.6 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105225984B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 广木勤 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请是涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法的发明。精密地控制载置台的温度。一实施方式的包含可控制温度的加工台的系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，即，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域、即在平板的背面侧分割多个区的各个而成的所述多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到所述多个区域的热交换介质；及阀单元，针对每一区控制利用热交换器对多个区域的热交换介质的供给或阻断。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 控制 温度 加工 系统 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含可控制温度的加工台的系统，包括：/n圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧及背面侧；/n热交换器，其以如下方式而构成，即，对所述平板的所述背面侧二维地排列的多个区域、即在所述平板的所述背面侧分割多个区的各个而成的该多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到该多个区域的所述热交换介质；及/n多个阀单元，可针对所述多个区的每个区控制利用所述热交换器对所述多个区域的所述热交换介质的供给或阻断；/n所述热交换器包括：/n多个第一管，在所述平板的下方二维地排列，朝所述平板的所述背面侧向上方延伸，提供与所述多个区域的各个相对向的开口端；/n间隔壁，划分形成分别包围所述多个第一管的多个空间；及/n多个第二管，以分别连通于所述多个空间的方式与所述间隔壁连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
