[发明专利]包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法

说明书

本申请是涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法的发明。精密地控制载置台的温度。一实施方式的包含可控制温度的加工台的系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，即，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域、即在平板的背面侧分割多个区的各个而成的所述多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到所述多个区域的热交换介质；及阀单元，针对每一区控制利用热交换器对多个区域的热交换介质的供给或阻断。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法。

背景技术

在电子器件的制造中，对被处理体实施等离子体蚀刻等的等离子体处理。在这种等离子体处理中，对于对被处理体进行的处理要求面内均匀性。为了实现处理的面内均匀性，要求精密地控制被处理体的温度分布。

已知有为了控制被处理体的温度分布而调整载置台的温度的系统。例如在专利文献1及2中，记载着如下系统：通过对在载置台的内部沿该载置台的周向形成的调温部供给高温流体及低温流体，控制载置台的静电吸盘的温度。这些系统包括：旁通流路，其连接于调温部的入口及出口，使流体在该入口与出口之间循环；低温流路，其连接于旁通流路，将来自低温温度调节单元的低温流体供给到旁通流路；及高温流路，其连接于旁通流路，将来自高温温度调节单元的高温流体供给到旁通流路。在旁通流路、低温流路、及高温流路分别连接着阀开度相互连动地变化的阀。

另外，在专利文献3中记载着一种包括载置台、冷却单元、加热单元、流路切换单元、及控制器等的温度控制装置。在该载置台形成着在载置台的中心部区域沿该载置台的周向延伸的第一冷媒通路、及在载置台的周边部区域沿该载置台的周向延伸的第二冷媒通路。专利文献3所记载的装置通过利用控制器的控制切换加热单元的动作及流路切换单元的开闭阀的打开及关闭，使用单个冷却单元个别地控制在载置台的第一冷媒通路及第二冷媒通路流通的冷媒的温度。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2014-21828号公报

[专利文献2]日本专利特开2013-105359号公报

[专利文献3]日本专利特开2006-286733号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

在所述专利文献1～3所记载的装置中，使热交换介质流通的流路沿载置台的周向而形成。在该装置中，因为热交换介质在该流路内流通的过程中会受到来自基板的热，所以流通的热交换介质的温度会因周向的路径上的位置而产生差异。结果在载置台的温度分布产生差异，而难以精密地控制载置台的温度。因此，在本技术领域中，要求一种可精密地控制载置台的温度的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法。

[解决问题的技术手段]

一方面，提供一种包含可控制温度的加工台的系统。该系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，即，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域、即在平板的背面侧分割多个区(zone)的各个而成的该多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到该多个区域的热交换介质；及多个阀单元，其针对多个区的每个区控制利用热交换器对多个区域的热交换介质的供给或阻断。

在该系统中，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域个别地供给热交换介质，且回收所供给的热交换介质。由此，可防止因平板的位置而在所供给的热交换介质的温度产生差异，因此，可在平板使温度分布均匀化。另外，因为是针对每一区控制热交换介质的供给或阻断，所以能够以区为单位控制平板的温度分布。因此，根据该系统，可精密地控制载置基板的平板的温度。