[发明专利]双喷头MOCVD反应室有效
申请号: | 201510324888.9 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN104962878B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 冉军学;胡国新;李晋闽;王军喜;段瑞飞;曾一平 | 申请(专利权)人: | 北京中科优唯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C30B25/08 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属有机气象化学沉积反应室,所述反应室包括腔体,所述腔体包括顶板、底板和侧壁,所述顶板底板和侧壁围成基本封闭的腔室;上进气喷淋头,设置于所述反应室腔室内的上部与气源连通;下进气喷淋头,设置于所述反应室腔室内的下部与气源连通;托盘组件,固定设置在所述反应腔体内的中部,所述托盘组件包括上基底托盘和下基底托盘,所述上基底托盘和下基底托盘相背对设置,所述上基底托盘与所述上进气喷淋头相对;所述下基底托盘与所述下进气喷淋头相对;加热器,位于上基底托盘和下基底托盘之间。通过这种反应室能够有效提高空间利用率、气体利用率及热能的利用率。 | ||
搜索关键词: | 喷头 mocvd 反应 | ||
【主权项】:
一种金属有机气象化学沉积反应室,其特征在于,所述反应室包括:腔体,所述腔体包括顶板、底板和侧壁,所述顶板底板和侧壁围成基本封闭的腔室;上进气喷淋头,设置于所述反应室腔室内的上部与气源连通;下进气喷淋头,设置于所述反应室腔室内的下部与气源连通;所述上进气喷淋头和下进气喷淋头共用气源,在所述上进气喷淋头和所述下进气喷淋头内实现混气、匀气;托盘组件,位于所述反应腔体内的中部;所述托盘组件包括上基底托盘和下基底托盘,所述上基底托盘和下基底托盘相背对上下对称设置,所述上基底托盘与所述上进气喷淋头相对;所述下基底托盘与所述下进气喷淋头相对;所述托盘组件还包括设置旋转装置,所述旋转装置与所述上基底托盘和下基底托盘驱动连接;加热器,位于上基底托盘和下基底托盘之间,加热体与所述上基底托盘和下基底托盘之间的距离相等;在反应室腔体侧壁分别设有相互独立的上尾气排气口和下尾气排气口,所述上尾气排气口与上基底托盘的侧部相对;所述下尾气排气口与所述下基底托盘相对。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的