[发明专利]一种金刚石热沉片的制备方法在审
申请号: | 201510316529.9 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN104947068A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 朱嘉琦;代兵;赵继文;韩杰才;杨磊;王强;刘康;陈亚男;孙明琪 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种金刚石热沉片的制备方法,本发明涉及金刚石的制备方法并将其用于热沉领域,它为了解决现有MWCVD方法生产金刚石的生长速率慢,表面粗糙以及热导率低的问题。制备方法:一、切割硅片,超声清洗后得到洁净的硅片基底;二、洁净的硅片基底表面均匀涂覆纳米金刚石悬浮液;三、涂覆有金刚石悬浮液的硅片放置于MWCVD装置中,通入氢气以及甲烷后进行化学气相沉积;四、利用HNO3与HF混合溶液腐蚀去除硅基底,清洗后得到金刚石热沉片。本发明通过使用涂覆纳米金刚石悬浮液的方法显著提高金刚石膜的生长速率,达到2~5μm/h,生长面粗糙度可低至600nm,热导率高,符合人造金刚石热沉的标准。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 热沉片 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金刚石热沉片的制备方法,其特征在于是按下列步骤实现:一、对硅片进行线切割,然后依次放入无水乙醇、去离子水中进行超声清洗,得到洁净的硅片基底;二、在洁净的硅片基底表面均匀涂覆纳米金刚石悬浮液,得到涂覆有金刚石悬浮液的硅片;三、将步骤二得到的涂覆有金刚石悬浮液的硅片放置于MWCVD装置中,将真空室的真空度抽至3×10‑6Pa以下,通入氢气以及甲烷,控制氢气流量150~500sccm,甲烷流量3~30sccm,涂覆有金刚石悬浮液的硅片升温至700~1100℃后进行化学气相沉积,取出得到带有硅基底的金刚石热沉片;四、将步骤三得到的带有硅基底的金刚石热沉片利用HNO3与HF混合溶液进行腐蚀去除硅基底,清洗后得到金刚石热沉片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的