[发明专利]实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法有效
申请号: | 201510314815.1 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN104900539B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 康建磊;方家兴;默立冬 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 申超平 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法,涉及微波器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤1)栅匹配电路和漏匹配电路制作;2)匹配电容制作;3)有源芯片制作;4)装配过程首先将栅匹配电路、漏匹配电路以及有源芯片采用金锡焊料烧结在金属衬底上,接着将匹配电容和100pF电容采用导电胶粘接在栅匹配电路和漏匹配电路上,最后用直径25um的键合线把各个部件键合连接在一起。通过所述工艺制造的内匹配器件具有频段宽、效率高、易使用、尺寸小的优点。 | ||
搜索关键词: | 实现 宽带 高效 尺寸 低成本 匹配 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:1)栅匹配电路和漏匹配电路制作:将设计好的栅匹配电路图形和漏匹配电路图形按照瓷片工艺流程分别生长在陶瓷基片上,对陶瓷基片进行激光打孔并电镀接地,形成栅匹配电路和漏匹配电路;2)匹配电容制作:匹配电容基于GaAs工艺平台,制作在GaAs衬底基片上,首先在GaAs衬底基片上制作电容下电极,接着生长一层AlN层作为介质,再在介质层上制作电容的上电极,下电极通过过孔接地,上电极通过键合与微带线连接;3)有源芯片制作:有源芯片制作基于GaN工艺平台,采用0.25μm工艺制作有源芯片的GaN HEMT 器件及稳定电路;4)装配过程:首先将栅匹配电路、漏匹配电路以及有源芯片采用金锡焊料烧结在金属衬底上,接着将匹配电容采用导电胶粘接在栅匹配电路和漏匹配电路上且将100pF电容采用导电胶粘接在栅匹配电路和漏匹配电路上,最后用直径25um的键合线把各个部件键合连接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造