[发明专利]薄膜压电体基板、薄膜压电体元件及其制造方法和应用

摘要

本发明涉及一种薄膜压电体基板，其能够相对更广范围的外加电压而得到稳定的压电特性，并且能够相对尽可能广范围的外加电压而进行直线性优良的动作。在薄膜压电体基板1中，依次层压了下部电极膜、压电体膜以及上部电极膜的层压膜3形成于硅晶片2的表面1a。压电体膜由通式Pb(Zrx，Ti(1‑x))O3表示的锆钛酸铅制成，x满足0.53x0.70的条件，并且符合关于表面垂直方向的晶格常数dv(单位为nm)的下述晶格常数条件，压电体膜进一步通过在表面垂直方向上(100)面定向而形成。dv0.02x+0.398。

主权项

一种薄膜压电体基板，其在成膜用基板的表面上形成有层压膜，该层压膜依次层压有下部电极膜、压电体膜以及上部电极膜，其中，所述压电体膜由通式Pb(Zr_x，Ti_(1‑x))O₃表示的锆钛酸铅制成，所述x满足0.53<x<0.70的条件，并且符合关于表面垂直方向的晶格常数dv(单位为nm)的下述晶格常数条件，所述压电体膜进一步通过在表面垂直方向上(100)面定向而形成，dv>0.02x+0.398。