[发明专利]相变化记忆体元件的制造方法

摘要

本发明有关一种相变化记忆体元件的制造方法。相变化记忆体元件包含一介电层、一金属阻隔层、一加热器、一绝缘层以及一相变化层。该介电层具有一表面以及一通道贯穿该介电层。该金属阻隔层内衬该通道。该加热器设置于该通道且包含一针状部以及一柱状部，该针状部凸出于该介电层的表面。该绝缘层设置于介电层表面且遮蔽部分该加热器。该相变化层设置于介电层表面且与该加热器的针状部接触。本发明的方法改变加热器与记忆体之间的接触面积，达到高电流密度以提高加热器热转换效率。

主权项

一种相变化记忆体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一介电层于一基板上；形成一多晶硅层于所述介电层上；图案化所述所述多晶硅层以及介电层以形成一通道；形成一金属阻隔层于所述通道的内侧表面与所述多晶硅层的表面上；形成一加热器于所述通道内；移除所述多晶硅层以暴露一部分所述金属阻隔层以及一部分所述加热器；蚀刻所述暴露的金属阻隔层以及所述暴露的加热器，其特征在于所述暴露的加热器形成一针状部凸出于所述介电层，其中所述针状部之一側表面向上渐缩 交于 一共同端点 ；形成一绝缘层于所述介电层上并 共形覆盖 所述加热器；蚀 刻该绝缘层 ，使所述针状 部之所述共同端点 突出于 所述绝缘层 ；以及形成一相变化层与所述暴露的加热器接触，所述针状 部之所述共同端点 突出进 入所述相变 化层 內。