[发明专利]存储器装置

摘要

一种存储器装置，包括：沿着第一方向按次序布置的第一有源区至第四有源区，它们沿着与第一方向不同的第二方向延伸；第一栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，并且沿着第一方向延伸；第二栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，该第二栅电极沿着第一方向延伸，并且布置为使得沿着第二方向在第一栅电极与第二栅电极之间不存在其它栅电极；第一栅电极在第一端与第二端之间延伸；第一布线，其形成在第一栅电极上；第一带触点，其在第一有源区与第二有源区之间将第一布线与第一栅电极连接；以及第二带触点，其在第三有源区与第四有源区之间将第一布线与第一栅电极连接。

主权项

一种非易失性存储器装置，包括：反熔丝存储器单元阵列，其包括多个晶体管，所述多个晶体管布置成多行，各行沿着第一方向延伸并且包括一组晶体管；第一栅电极，其沿着所述多行中的第一行延伸，并且连接至所述第一行中的第一组晶体管；第一布线，其位于所述第一栅电极上方，并且在竖直方向上与所述第一栅电极分离开，该第一布线沿着所述第一方向延伸；以及多个带触点，其沿着所述第一方向和所述第一行布置，各个带触点在所述第一栅电极与所述第一布线之间延伸，并且沿着所述第一行布置的各个带触点被称作Ⅰ型带触点，其中，多个Ⅰ型带触点的第一Ⅰ型带触点布置为处在多个Ⅰ型带触点的第二Ⅰ型带触点的第一侧，并且所述第一Ⅰ型带触点和所述第二Ⅰ型带触点布置为在它们之间具有两个或更少的晶体管，并且其中，多个Ⅰ型带触点的第三Ⅰ型带触点布置为处在所述第二Ⅰ型带触点的与所述第一侧相对的第二侧，并且所述第三Ⅰ型带触点和所述第二Ⅰ型带触点布置为在它们之间具有两个或更少的晶体管。