[发明专利]一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置

摘要

本发明公开一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。所述OLED显示器件包括：发光像素单元，发光像素单元包括：位于衬底基板上方的阳极，与阳极相对设置的阴极，以及形成于阳极和阴极之间的微腔；其中，微腔包括有机发光层，阳极包括：与阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于ITO层背向阴极的侧面上的金属氧化物导体层。由ITO层和金属氧化物导体层形成的阳极与阴极之间形成微腔，调节了微腔的腔长，改善了OLED显示器件的微腔效应，从而提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。本发明提供的OLED显示器件应用于显示装置中。

主权项

1.一种OLED显示器件，其特征在于，包括发光像素单元，所述发光像素单元包括：位于衬底基板上方的阳极，与所述阳极相对设置的阴极，以及形成于所述阳极和所述阴极之间的微腔；其中，所述微腔包括有机发光层，所述阳极包括与所述阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于所述ITO层背向所述阴极的侧面上的金属氧化物导体层；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的栅极，覆盖所述衬底基板和所述栅极的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置且不相连，所述漏极与所述阳极连接；所述阳极的金属氧化物导体层位于所述阳极的ITO层与所述栅极绝缘层之间；所述发光像素单元中的金属氧化物导体层与所述薄膜晶体管中的有源层同层设置，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述有源层位于所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道上；所述金属氧化物导体层由对沉积在所述发光像素单元中的金属氧化物进行离子表面处理形成。