[发明专利]无接触孔的场效应管的制造方法和无接触孔的场效应管在审
| 申请号： | 201510290837.9 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298920A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 马万里;李理;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种无接触孔的场效应管的制造方法和一种无接触孔的场效应管，方法包括：在衬底上生长外延层，在外延层上生长第一氧化层；在第一氧化层和外延层上刻蚀多个深沟槽；在多个深沟槽中的每个深沟槽中生长第二氧化层；在第一氧化层和第二氧化层上生长氮化硅层；在第一氧化层和第二氧化层的氮化硅层上生长多晶硅层；刻蚀掉第一氧化层上的氮化硅层上的全部多晶硅层和第二氧化层上的氮化硅层上的部分多晶硅层；在剩余多晶硅层上生长第三氧化层；刻蚀掉第一氧化层上的氮化硅层和第一氧化层。通过本发明的技术方案，可以使场效应管的集成度避免受到接触孔与深沟槽之间的距离和在接触孔中填充的金属的影响，从而保证场效应管具有较高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无接触孔的场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上生长外延层，在所述外延层上生长第一氧化层；在所述第一氧化层和所述外延层上刻蚀多个深沟槽；在多个深沟槽中的每个所述深沟槽中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和所述第二氧化层上生长氮化硅层；在所述第一氧化层和所述第二氧化层的氮化硅层上生长多晶硅层；刻蚀掉所述第一氧化层上的氮化硅层上的全部多晶硅层和所述第二氧化层上的氮化硅层上的部分多晶硅层，以使所述第二氧化层上的氮化硅层上的剩余多晶硅层的上表面低于所述第一氧化层上的氮化硅层的上表面；在所述剩余多晶硅层上生长第三氧化层；刻蚀掉所述第一氧化层上的氮化硅层和所述第一氧化层，其中，所述多晶硅层包括所述第一氧化层上的氮化硅层上的全部多晶硅层、所述第二氧化层上的氮化硅层上的部分多晶硅层和所述剩余多晶硅层。
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