[发明专利]一种混合晶向无结CMOS结构有效
| 申请号： | 201510276547.9 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104952871B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合晶向无结CMOS结构，无结CMOS结构包括无结NMOS结构以及无结PMOS结构，还包括顶层硅通过埋氧层设置在硅衬底上而构成的硅片，顶层硅材质为(100)晶面单晶硅，硅衬底材质为(110)晶面单晶硅，无结NMOS结构设在(100)晶面的顶层硅上，无结PMOS结构设在(110)晶面的硅衬底上。本发明使无结NMOS结构对应电子迁移率最高的(100)晶面的顶层硅，无结PMOS结构对应空穴迁移率最高的(110)晶面的硅衬底，从而提高无结NMOS结构的电子迁移率以及无结PMOS结构的空穴迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 cmos 结构 | ||
【主权项】：
一种混合晶向无结CMOS结构，所述无结CMOS结构包括无结NMOS结构以及无结PMOS结构，其特征在于，还包括顶层硅通过埋氧层设置在硅衬底上而构成的硅片，所述顶层硅材质为(100)晶面单晶硅，所述硅衬底材质为(110)晶面单晶硅，所述无结NMOS结构设在(100)晶面的顶层硅上，所述无结PMOS结构设在(110)晶面的硅衬底上，所述无结NMOS结构和无结PMOS结构通过浅沟槽隔离隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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