[发明专利]VDMOS器件的过流保护方法及电路在审
| 申请号： | 201510275115.6 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298917A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS器件的过流保护方法及过流保护电路，其中，所述过流保护方法包括：获取所述VDMOS器件的采样元胞的采样电流值；判断所述采样电流值是否大于电流阈值，以及根据判断结果，确定是否对所述VDMOS器件进行过流保护，其中，所述采样元胞为所述VDMOS器件的所有元胞的一部分。通过本发明的技术方案，采用局部电流采样的方式监控通过整个VDMOS器件的电流情况，可以提高电流采样的效率，以及通过将VDMOS器件与过流保护电路集成在同一块衬底上，可采用CDMOS工艺实现，即采用芯片集成的方式实现对VDMOS器件的过流保护，可以为VDMOS器件提供更加简单实用的过流保护，大大提高器件的可靠性，同时在没有增加工艺复杂度的情况下有效地减小系统体积以及系统复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 保护 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的过流保护方法，其特征在于，包括：获取所述VDMOS器件的采样元胞的采样电流值；判断所述采样电流值是否大于电流阈值，以及根据判断结果，确定是否对所述VDMOS器件进行过流保护，其中，所述采样元胞为所述VDMOS器件的所有元胞的一部分。
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