[发明专利]离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201510245840.9 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN105321790B 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 松下浩;椛泽光昭;天野吉隆;八木田贵典 申请(专利权)人: 斯伊恩股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000),该扫描单元包括扫描电极装置(400),向沿着基准轨道(Z)射入的离子束B施加偏转电场,以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B);及上游电极装置(300),由设置于扫描电极装置(400)的上游的多个电极体构成。扫描电极装置(400)具备隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R,410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横向正交的纵向对置而设的一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)分别在扫描电极装置(400)的入口(402)附近具有向基准轨道(Z)纵向延伸的射束输送补正入口电极体(454)。
搜索关键词: 离子 注入 装置
【主权项】:
一种离子注入装置,其具备扫描单元,该扫描单元包括:扫描电极装置,向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场,以向与所述基准轨道正交的横向扫描离子束;及上游电极装置,由设置于所述扫描电极装置的上游的多个电极体构成,该离子注入装置的特征在于,所述扫描电极装置具备:一对扫描电极,隔着所述基准轨道在所述横向对置而设;及一对射束输送补正电极,隔着所述基准轨道在与所述横向正交的纵向对置而设,所述一对射束输送补正电极分别在所述扫描电极装置的入口附近具有朝向所述基准轨道向所述纵向延伸的射束输送补正入口电极体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯伊恩股份有限公司,未经斯伊恩股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510245840.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top