[发明专利]离子注入装置有效
申请号: | 201510245840.9 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN105321790B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 松下浩;椛泽光昭;天野吉隆;八木田贵典 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000),该扫描单元包括扫描电极装置(400),向沿着基准轨道(Z)射入的离子束B施加偏转电场,以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B);及上游电极装置(300),由设置于扫描电极装置(400)的上游的多个电极体构成。扫描电极装置(400)具备隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R,410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横向正交的纵向对置而设的一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)分别在扫描电极装置(400)的入口(402)附近具有向基准轨道(Z)纵向延伸的射束输送补正入口电极体(454)。 | ||
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【主权项】:
一种离子注入装置,其具备扫描单元,该扫描单元包括:扫描电极装置,向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场,以向与所述基准轨道正交的横向扫描离子束;及上游电极装置,由设置于所述扫描电极装置的上游的多个电极体构成,该离子注入装置的特征在于,所述扫描电极装置具备:一对扫描电极,隔着所述基准轨道在所述横向对置而设;及一对射束输送补正电极,隔着所述基准轨道在与所述横向正交的纵向对置而设,所述一对射束输送补正电极分别在所述扫描电极装置的入口附近具有朝向所述基准轨道向所述纵向延伸的射束输送补正入口电极体。
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