[发明专利]一种单芯片集成电路在审
| 申请号： | 201510244422.8 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104952872A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 周祥瑞;吴宗宪 | 申请（专利权）人： | 无锡昕智隆电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单芯片集成电路，包括器件本体，所述器件本体的外周包裹有终端环结构，所述器件本体的底端固定有金属电极；所述器件本体包括第一金属氧化物半导体场效应管、第二金属氧化物半导体场效应管和二极管，所述第一金属氧化物半导体场效应管置于所述第二金属氧化物半导体场效应管并列排布，所述二级管集成在所述第一金属氧化物半导体场效应管或所述第二金属氧化物半导体场效应管中，所述第一金属氧化物半导体场效应管和所述第二金属氧化物半导体场效应管均与所述金属电极连接。本发明能降低封装成本、提高电路稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成电路 | ||
【主权项】：
一种单芯片集成电路，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)的外周包裹有终端环结构(2)，所述器件本体(1)的底端固定有金属电极(3)；所述器件本体(1)包括第一金属氧化物半导体场效应管(4)、第二金属氧化物半导体场效应管(5)和二极管，所述第一金属氧化物半导体场效应管(4)置于所述第二金属氧化物半导体场效应管(5)并列排布，所述二级管集成在所述第一金属氧化物半导体场效应管(4)上，所述第一金属氧化物半导体场效应管(4)和所述第二金属氧化物半导体场效应管(5)均与所述金属电极(3)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
